太陽能微逆變器(PV Microinverter)興起將帶動功率半導體需求增長。由於微逆變器須導入升壓(Boost)架構，且使用壽命須媲美太陽能面板，因而帶動低壓金屬氧化物半導體場效電晶體(LV MOSFET)、碳化矽接面型場效電晶體(SiC JFET)等新功率元件需求，吸引半導體商積極布局。
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| 英飛凌工業與多元電子事業處應用工程經理吳榮輝(右)提到，採微逆變器建置太陽能系統的彈性較大，將逐漸受到市場青睞。左為英飛凌電源管理與多元電子事業處資深行銷經理陳志星 |
英飛凌工業與多元電子事業處應用工程經理吳榮輝表示，提升太陽能系統轉換效率係當前業界面臨的一大挑戰，但採用傳統集中式(Centralized)、串列式(String)逆變器方案，效率已難再提高，因此新型微逆變器遂逐漸崛起。藉由在每一塊太陽能面板下安裝微逆變器，可精確掌握最大功率輸出點(MPP)，使太陽能系統轉換效率增加0.5%以上。
由於微逆變器輸入電壓僅約20～40伏特(V)，要將電能匯流至120或230伏特的電網須引進升壓電路，因此英飛凌瞄準升壓機制所需的低壓MOSFET需求，已開發出可媲美車規OptiMOS系列產品的新功率元件。
與此同時，微逆變器須承受到戶外高溫、風吹雨打的嚴厲考驗，故半導體商也相繼投入開發可滿足20～25年使用年限的功率元件，以便為系統業者省下微逆變器的後續維護成本。
吳榮輝分析，電解電容係微逆變器中最容易損壞且更換頻率較高的一環，要延長使用時間須以薄膜電容取代傳統方案；不過，此將墊高周邊元件的規格要求。目前英飛凌已攜手一線微逆變器大廠克服各個系統電路設計環節，期開發出毋需電解電容的新一代產品。
不僅如此，英飛凌近期也已推出新一代CoolSiC 1200伏特SiC JFET，將在今年底至明年初導入量產；至於第三季則將發表ThinQ 1200伏特SiC蕭特基二極體(Schottky Diode)，可使微逆變器效率提升至96%以上。
另外，閘極驅動器(Gate Driver)也是微逆變器能否長期正常運作的關鍵。英飛凌電源管理與多元電子事業處資深行銷經理陳志星指出，英飛凌將引進以往用於工業控制領域，採用非光耦合設計的EiceDRIVER，以改善光衰造成閘極驅動器效率降低或提早損壞的情形。
陳志星認為，市場研究機構一致看好2012～2015年微逆變器出貨量將大幅成長，並在居家型、屋頂型太陽能系統獲得廣泛採用。未來，微逆變器深入家用太陽能市場，出貨規模持續擴大後，可望引爆大量高品質、高效率半導體元件商機；英飛凌將挾既有的工業及汽車電子元件設計能量，快速滿足微逆變器製造商的需求。
